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等離子磁控濺射鍍膜儀系列
- 關鍵字：
- 射頻/直流可選 1/2英寸靶頭可選 單靶 靶臺MAX500 ℃
- 型號：
- VTC-1RF/2RF/2DC
- 產品概述：
- 等離子磁控濺射系統，可涂覆非金屬（主要是氧化物）薄膜。集成式組件，包括RF電源，石英真空室等。適用于在研發中濺射非導電或氧化物材料的薄膜。
免責聲明：
本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數據與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數，請與本公司銷售人員聯系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
如果您需要下載產品的電子版技術文檔，說明書（在線閱覽），裝箱單，與售后安裝條件等文件，請點擊上方的附件下載模塊中選取。商城產品僅針對大陸地區客戶，購買前請與工作人員溝通，以免給您帶來不便。
技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產品提示
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1、多種配件可選提示 2、特殊設備尺寸設備 3、科晶實驗室邀請提示 4、配件妥善保管提示 |
| 名稱
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? 1英寸100W射頻磁控濺射鍍膜儀 | ? 2英寸300W射頻磁控濺射鍍膜儀 | ? 2英寸500W直流等離子磁控濺射鍍膜儀 |
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| 型號
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? VTC-1RF | ? VTC-2RF | ? VTC-2DC |
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| 主要參數
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? 輸入電源：220V AC 50/60Hz ? 最高使用功率：100W ? 靶頭數量：單個1英寸磁控濺射靶 ? 設備功率：800W（包括真空泵） ? 樣品臺加熱溫度：500℃ | ? 輸入電源：220V AC 50/60Hz ? 整機功率：1000W（包括真空泵） ? 射頻電源最高使用功率：300W ? 靶頭數量：單個2英寸磁控濺射靶頭 ? 樣品臺加熱溫度：500℃ | ? 輸入電源：220V AC 50Hz ? 輸出電壓：600 VDC ? 輸出功率：最大500W ? 整機功率：1200W（包括真空泵） ? 樣品臺加熱溫度：500℃ |
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| 濺射頭&樣品臺
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? 一個1英寸磁控濺射頭（帶有水冷夾層），采用快速接頭與真空腔體相連接 ? 儀器中安裝有直徑為50mm的不銹鋼可旋轉樣品臺，其與濺射頭之間距離可調 ? 濺射頭角度可調 ? 樣品臺可加熱，加熱溫度室溫-500℃ ? 安裝有一可手動操作的擋板 ? 最大可制膜的直徑為:4英寸 ? 可以單獨訂購RF連接線作為備用 ? 設備包含一臺水冷機，用于靶頭冷卻
| ? 一個2英寸磁控濺射頭（帶有水冷夾層），采用快速接頭與真空腔體相連接 ? 儀器中安裝有直徑為50mm的不銹鋼可旋轉樣品臺，其與濺射頭之間距離可調 ? 樣品臺可加熱，加熱溫度室溫-500℃ ? 安裝有一可手動操作的擋板
| ? 儀器中安裝有直徑為50mm的不銹鋼樣品臺，其與濺射頭之間距離可調 ? 樣品臺可加熱，加熱溫度RT-500℃（RT為室溫） ? 安裝有一可手動操作的擋板 ? 最大可制膜的直徑為:2英寸（標配2英寸，如果需要更大尺寸請與我們銷售聯系）
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   圖一 圖二 圖三   圖四 圖五
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| 濺射電源
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設備有兩種射頻電源可選分別為： ? 300W自動匹配射頻電源 ? 100W的手動匹配射頻電源
 
| 該設備有一種直流電源可選： ? 直流電源DC 500W |
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| 靶材
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? 靶材尺寸要求：Φ50mm×(0.1-3) mm(厚度) 
| ? 靶材尺寸要求：Φ50mm×(0.1-5)mm(厚度) 
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| 濺射腔體
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? 采用石英腔體，尺寸：166 mm OD×150 mm ID×250 mm H ? 密封法蘭:直徑為174 mm，采用金屬制作，密封采用O形密封圈
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| 真空系統
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? 安裝有KF25真空接口 ? 數字真空壓力表（Pa） ? 此系統運行可通入氣體運行（可在本公司選購各種真空泵） （1）采用機械泵<1.0E-2 Torr（參考值，詳情請點擊） （2）采用渦旋分子泵<1.0E-5 Torr（參考值，詳情請點擊）
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| 產品外形及尺寸
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? 550*550*1100（長*寬*高） |
| 進氣
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? 設備上配1/4英寸進氣口方便連接氣瓶 ? 設備前面板上裝有一氣流調節旋鈕，方便調節氣流
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| 薄膜測厚儀（可選）
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? 可在本公司選購薄膜測厚儀安裝在濺射儀上    |
| 質保
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? 一年保修，終身技術支持。 ? 特別提示： 1.耗材部分如加熱元件，石英管，樣品坩堝等不包含在內。
2.因使用腐蝕性氣體和酸性氣體造成的損害不在保修范圍內。
點擊查看售后服務承諾書
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| 認證
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·此產品已通過CE認證 證書編號：M.2021.206.C67994 ·若客戶出認證費用，本公司保證單臺設備通過德國TUV認證或CAS認證 
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實驗室參考案例 |
科晶實驗室用此設備做出的部分結果，以供您參考。詳細信息，請點擊我們的實驗報告
濺射氧化鋅薄膜 基底采用：藍寶石（0001）基片(5*5*1mm3)； 靶材采用：Φ1”×2.5mm高純ZnO陶瓷靶 
XRD薄膜高分辨圖 | 濺射ITO薄膜 基底采用：Si（0001）基片(5*5*1mm3)； 靶材采用：Φ2”×2.5mm高純ITO靶 功率：260W 
EDS元素成分定性、定量分析圖 | 濺射Mg薄膜 基底采用：Si（0001）基片(5*5*1mm3)； 靶材采用：Φ2”×2.5mm高純Mg靶 功率：80W 
EDS元素成分定性、定量分析圖
| 濺射Sc薄膜 基底采用：Si（0001）基片(5*5*1mm3)； 靶材采用：Φ2”×2.5mm高純Sc靶 功率：100W 
EDS元素成分定性、定量分析圖 | 濺射Pd薄膜 基底采用：Si（0001）基片(5*5*1mm3)； 靶材采用：Φ2”×2.5mm高純Pd靶 功率：100W 
EDS元素成分定性、定量分析圖
| 濺射Ti薄膜 基底采用：Si（0001）基片(5*5*1mm3)； 靶材采用：Φ2”×2.5mm高純Ti靶 功率：100W 
EDS元素成分定性、定量分析圖 | 濺射Mo薄膜
基底采用：Si（多晶硅）基片(5*5*1mm3)； 靶材采用：Φ2”×0.5mm高純Mo靶 功率：90W 
XRD薄膜高分辨圖 | 濺射Pt薄膜
基底采用：Si（多晶硅）基片(5*5*1mm3)； 靶材采用：Φ2”×2.5mm高純Pt靶 濺射方式：直流濺射 
XRD薄膜高分辨圖 | 濺射CoFeB（鈷鐵硼）薄膜 基底采用Si（多晶硅）基片（5*5*1mm3）
靶材采用：φ2“×0.6mm高純CoFeB靶
預濺射：80w 50mtorr 10min
濺射：180w 20mtorr 30min 
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更多參數請聯系科晶實驗室 實驗案例照片（點擊大圖查看詳情）
氧化鋅 |
ATO |
ITO |
碲化鉍 |
鉑 |
金 |
銀 |
銅 |
鋁 |
鎂 |
 
鉬 |
 
鉑 |
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應用技術提示 | 1、為了保證濺射效果，非導電靶材必須安裝銅墊塊
2、有時為了達到理想的薄膜厚度，可能需要多次濺射鍍膜 3、為了得到較好的薄膜質量，必須通入高純氣體（建議> 5N） 4、在濺射鍍膜前，確保濺射頭、靶材、基片和樣品臺的潔凈 5、要達到薄膜與基底良好結合，請在濺射前清潔基材表面 6、在分子泵出口安裝有一個可手動操作的擋板 超聲波清洗：（1）丙酮超聲（2）異丙醇超聲-去除油脂（3）吹氮氣干燥（4）真空烘箱除去水分。 等離子清洗（詳細參數點擊下面圖片）：可表面粗糙化，可激活表面化學鍵，可祛除額外的污染物。 制造一個薄的緩沖層（5納米左右）：如Gr，Ti，Mo，Ta，可以應用于改善金屬和合金的附著力。 |
警示 | 注意：產品內部安裝有高壓元件，禁止私自拆裝，帶電移動機體。
1、1英寸靶頭最大使用功率為100W 2、2英寸靶頭最大使用功率為300W 3、氣瓶上應安裝減壓閥（設備不包括），保證氣體的輸出壓力限制在0.02兆帕以下，以安全使用。 4、濺射頭連接到高電壓。為了安全，操作者必須在關閉設備后才能進行裝樣和更換靶頭等操作。 5、請勿在易燃易爆氣體環境下使用該設備 6、請勿在潮濕的環境下使用該設備 7、機體上禁止放置茶杯等裝有液體的器物 8、禁止儀器通電狀態下去拔插電源插頭 |
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皖公網安備 34012302000974號
