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小型滑動PECVD管式爐系統
型號:
OTF-1200X-50S-PE-SL
產品概述:
OTF-1200X-50-PE-SL是一款小型滑動開啟式PECVD系統。此套設備配有等離子射頻電源,直徑為50mm的開啟式管式爐(帶有真空法蘭和連接管道)及機械泵組成。該設備模型可更新為不同類型的PECVD 系統,且設備性價比較為理想。
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技術參數產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
設備名稱

小型滑動PECVD管式爐系統—OTF-1200X-50S-PE-SL (2019.12.23—科晶實驗室審核)

產品提示

1、多種配件可選提示   2、特殊設備尺寸設備   3、科晶實驗室邀請提示   4、配件妥善保管提示

產品特點

? 射頻電源可實現等離子增強從而顯著降低實驗溫度;

? 可通過爐體滑動達到快速升溫和降溫;

? 可通過射頻電源的頻率來控制薄膜的應力;

? 可通過工藝調節來控制化學計量;

? 可沉積各種材料,如SiOx, SiNx, SiOxNy 和(a-Si:H) 等。

相關視頻

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          展示視頻

加熱爐參數

? 最高溫度:1100℃(<30min);連續工作溫度:1000℃;

? PID溫度控制器及50段可編程溫控系統,控溫精度:±1℃;

? 輸入電源:208- 240V AC,功率:1.2KW;

? 爐膛保溫材料采用高純氧化鋁多晶纖維,并且內爐膛表面涂有美國進口的高溫氧化鋁涂層,可以提高加熱效率,

反射率及延長儀器的使用壽命(點擊文字了解涂層的詳細參數)。

加熱爐圖片.jpg    溫控儀表.JPG



更多參數請聯系科晶銷售部

射頻電源

? 科晶公司現有不同功率的射頻電源可供選擇,以滿足不同實驗條件的需求。



300W射頻電源

500W射頻電源

100W射頻電源

輸出功率

0-300W可調

(穩定性:±1%)

0-500W可調

(穩定性:±1%)

0-100W可調

(穩定性:±1%)

射頻頻率

13.56 MHz

(穩定性:±0.5%)

13.56 MHz

(穩定性:±0.5%)

13.56 MHz

(穩定性:±0.5%)

匹配

自動匹配

自動匹配

手動匹配

噪音

<50dB

<50dB

<50dB

冷卻方式

風冷

風冷

風冷

輸入電壓

AC180-250V

AC108-250V

AC110-240V

圖片

圖片2.jpg 

圖片3.jpg 

圖片4.jpg

真空系統

? 采用TRP-12的雙旋真空泵;

? KF25卡箍及波紋管用于連接管式爐與真空泵;

? 真空度可達10-2Torr。


圖片5.jpg

供氣系統(可選)

? 客戶可選購四通道質子流量計控制系統實現氣體流量的精確控制(精確度:±0.02%);

? 流量范圍:


一路

0-100 sccm

二路

0-200 sccm

三路

0-200 sccm

四路

0-500 sccm


? 電壓:208-240V, AC, 50/60Hz;

? 氣體進出口配件:6mm OD的聚四氟管或不銹鋼管;

? 不銹鋼針閥用于手動控制氣體進出;

? PLC觸摸屏可以簡便地進行氣體流量設置。


圖片6.jpg      圖片7.jpg


產品尺寸和重量

? 尺寸:1500mm L′600mm W′1200mm H

? 凈重:160 kg

? 運輸重量:220 kg 

認證

? 如您另外付費,我們可以保證單臺儀器的TUV(UL61010)或CSA 認證


圖片1.png

承諾

? 一年質保期,終身維護(不包括爐管、硅膠密封圈和加熱元件)

科晶應用技術實驗室利用PECVD在不同功率(75W、150W、300W)條件下沉積Sb2Se3薄膜,實驗結果如下:


圖片6.jpg



組別

SEM結果

元素百分比



Sb(%)

Se(%)

未經任何處理的樣品

1.jpg

2.jpg

40.01

59.99

75W等離子體處理5 min

3.jpg

4.jpg

41.04

58.96

150 W等離子體處理5 min

5.jpg

6.jpg

41.64

58.36

300 W等離子體處理5 min

7.jpg

8.jpg

41.86

58.14


小結:

(1)等離子體能改變Sb2Se3薄膜的形貌,同時改變Sb2Se3的組成;

(2)隨著射頻電源功率的增加,Sb2Se3中的Se百分含量降低。




組別

SEM結果

元素百分比



Sb(%)

Se(%)

10W、3Pa條件下沉積Sb2Se3

9.jpg

10.jpg

40.01

59.99

75W、133Pa條件下沉積Sb2Se3

11.jpg

12.jpg

70.28

29.72

75W、3Pa且補充0.1g Se粉沉積Sb2Se3

13.jpg

14.jpg

43.13

56.87

75W、3Pa且補充0.02g SnSe2粉末(10%質量比Sb2Se3)沉積Sb2Se3

15.jpg

16.jpg

Sn: 22.78 Sb: 25.77

51.44


小結:

(1)低功率等離子體條件下可得到近原子比的Sb2Se3;

(2)高壓條件下可得到富Sb的Sb2Se3薄膜;

(3)添加Se會破壞PECVD沉積的Sb2Se3的原子比;

(4)當SnSe2質量比為10%時,可以得到Sb:Sn摩爾比接近于1的薄膜,該方法適用于摻雜。



XRD結果

圖片9.jpg


pecvd.png

警示

? 爐管內氣壓不可高于0.02 MPa;

? 由于氣瓶內部氣壓較高,所以向爐管內通入氣體時,氣瓶上必須安裝減壓閥,建議在本公司選購減壓閥,本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全;

? 石英管的長時間使用溫度<1100℃;

? 當爐體溫度高于1000℃時,爐管內不可處于真空狀態,爐管內的氣壓需和大氣壓相當,保持在常壓狀態;

? 射頻電源工作時,請勿觸碰。

應用技術提示

? 通入爐內氣體流量需小于200 sccm,以避免冷的大氣流對加熱石英管造成沖擊;

? 加熱時,不建議關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥。若需要關閉氣閥對樣品加熱,則需時刻關注壓力表的示數,若氣壓表示數大于0.02 MPa,需立刻打開泄氣閥,以防意外發生(如爐管破裂、法蘭飛出等)。

? 射頻電源在低氣壓、低功率條件下起輝。

石英管

? 石英管尺寸:50 mm OD′44mm ID′1100mm L


配件爐管.jpg

防腐型真空表

(可選)

? 輸入電源24V,1A  DC(配有電壓轉換器);

? 測量范圍3.8′10-5-1125 Torr;

? 數據顯示:數顯(屏幕尺寸為20′14mm),其單位為torr

? 連接:1/8"NPT 接頭

? 產品尺寸 46mm×28mm×126mm ( L′W′ H)


配件壓力表.jpg


溫儀表

(可選)

? 單回路、雙回路和三回路控制模式;

? 每個回路可實現雙輸入,雙保護;

? 各回路可PID、串級、比率等回路控制;

? 數碼顯示,配備7個按鍵,可用于進行各控制回路的切換和參數修改;

? 最多可存儲50個程序,每個程序最多可有3個不同的設定值(即3條不同的曲線),最多可設置500段升降溫程序;

? 通訊方式多樣,Modbus/Profibus DP/DeviceNet/EI-Bisync/RS485通訊接口,可連接PC進行遠程控制。


圖片1.jpg

真空系統

(可選)

? 科晶公司提供一系列低真空、高真空及進口高真空設備,以滿足在不同真空條件下的實驗需求。


低真空系統

國產高真空系統

進口高真空系統

低真空系統.png

高真空.jpg

進口高真空.png

                 

供氣系統

(可選)

? 科晶公司提供各種通道浮子、質子流量計可供選擇,以實現氣體流量的精確控制。


單通道浮子

單通道質子

兩通道浮子

兩通道質子

多通道浮子

(防腐)

1通道浮子.jpg

1通道質子.jpg

2通道浮子.JPG

2通道質子.jpg

3通道浮子(防腐).jpg

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